ترانزیستور یکی از اجزای اساسی در الکترونیک است که به عنوان تقویتکننده و سوئیچ عمل میکند. ترانزیستورها معمولاً از مواد نیمههادی ساخته میشوند و معمولاً دو نوع اصلی دارند: ترانزیستورهای بیقطبی (BJT) و ترانزیستورهای اثر میدان (FET).
انواع ترانزیستور:
- ترانزیستور بیقطبی (BJT): این نوع ترانزیستور از سه ناحیه نیمههادی تشکیل شده است:Emitter، Base و Collector. BJT میتواند به عنوان تقویتکننده یا سوئیچ استفاده شود.
- ترانزیستور اثر میدان (FET): این نوع ترانزیستور شامل ناحیهای است که جریان الکتریکی را با استفاده از میدان الکتریکی کنترل میکند. FET دارای انواع مختلفی از جمله MOSFET و JFET است.
- جریان BJT:
- معادله جریان ترانزیستور BJT: رابطه بین جریانها به صورت زیر است:


- Is : جریان اشباع معکوس
- Vbe : ولتاژ بیس-امتر
- VT : ولتاژ حرارتی (تقریباً 26 میلیولت در دماهای معمولی)
- قانون وانت و بایاس: تحلیل مدار BJT و تعیین وضعیت فعال، قطع، و اشباع ترانزیستور.
- جریان FET:
- معادله انتقال: برای MOSFET، جریان تخلیه به صورت زیر محاسبه میشود:

- Id : جریان تخلیه
- k : ضریب تقویت (بسته به مشخصات MOSFET)
- Vgs : ولتاژ گیت-سورس
- Vth : ولتاژ آستانه
- Vds : ولتاژ درین-سورس
- تقویتکنندگی:
- تقویتکنندهها: برخی مدارهای تقویتکننده با استفاده از ترانزیستورها طراحی میشوند که شامل تحلیل فرکانس و باند پاس و محاسبات بازخورد میشود.
- مدارات سوئیچینگ:
- تحلیل سوئیچ: شامل محاسبات مربوط به زمانهای روشن شدن و خاموش شدن و تحلیل حالتهای مختلف (ON/OFF) میباشد.
